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　　许多电子元件长得差不多但功能用途功率都不一样，在选购时不仔细辨别的话很容易买到错的电子元件，回来一用才知道买错了导致安装的电子电路也有问题，钱也白花了。

　　在电子元件中长得像的有安规电容和压敏电阻，安规电容和陶瓷电容，外观都是蓝色圆片型，区别就是它们的外壳上的丝印不一样。同样名字相似但是外观不一样的电子元件也很多，比如压敏电阻和热敏电阻、压敏电阻和光敏电阻虽一字之差但不管是外观还是功能作用都不一样，因此需要熟悉它们的名字、外观、性能等，这样在选购电子元件时才不会选错。

　　电子元件中还有两个电子元件：热敏电阻和热电阻，它们的名字很像但外观不一样，功能和作用也不一样。

　　热敏电阻是一种传感器电阻，对温度灵敏，其电阻值随着温度的变化而改变，按照温度系数不同分为正温度系数热敏电阻（PTC热敏电阻）和负温度系数热敏电阻（ NTC热敏电阻）。正温度系数热敏电阻器的电阻值随温度的升高而增大，负温度系数热敏电阻器的电阻值随温度的升高而减小，它们同属于半导体器件。

　　热敏电阻热敏电阻灵敏度较高；工作温度范围宽;体积小；稳定性好；过载能力强等特点应用于广泛应用于电冰箱、空调、微波炉、电烤箱、复印机、打印机等家电。

　　热电阻是一种温度检测传感器，与温度有关，其电阻值随温度的增加而增加。按照不同材料分为普通型热电阻，铠装热电阻，端面热电阻，隔爆型热电阻。

　　它的主要特点是测量精度高，机械强度高，耐高温耐压性能好；性能稳定。广泛应用于工业测温，工业测量上。

　　集微网消息，半导体和电子元件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 3月6日起备货Analog Devices, Inc的HMC8205氮化镓 (GaN) 功率放大器。此款高度集成的宽带MMIC射频 (RF) 放大器覆盖300 MHz至6 GHz 频谱，可应用于需要支持脉冲或连续波 (CW) 的无线基础设施、雷达、公共移动无线电、通用放大测试设备等。  贸泽电子供应的Analog Devices HMC8205 GaN MMIC放大器具有较好的集成度、增益和效率，以及高带宽。采用小尺寸设计，所需外部电路极少，可减少总元件数和电路板空间。 HMC8205将DC馈电/RF偏置扼流圈、隔直电容和驱动级集于一体，提供

　　汽车厂商为了拉低入门极产品价格，往往会做出低功率车型和高功率车型，这是车企通过对汽车电脑ECU进行调教而来的，也就是说厂家会给一台发动机做2套程序，一套为高功率版本，另一套为低功率版本程序。有些预算不够的朋友只能购买低功率车型，但是又垂涎高功率车型的大马力，他们就幻想着通过刷ECU程序来达到高功率车型的动力及扭矩，不仅费用上省了一大笔，而且能拥有和高功率一样的性能。 那么，低功率车型刷ECU究竟能不能达到高功率版本的效果？这样做究竟靠不靠谱呢？ 我们都知道，同款车的高功率车型和低功率车型基本用的都是同一款发动机，排量也是相同的，虽然都是同一款发动机，但是有可能他们的材质却不一样！比如曲轴，大小瓦这些可能会存在材质不一样！

　　车型吗？ /

　　本文基于 IGBT 器件，利用 DC/DC 电源并联技术设计大功率直流电源。该电源可用作EAST托卡马克装置中的 大功率 垂直位移快速控制直流电源。对该电源装置进行了仿真和实验，获得了较为满意的动静态性能。 随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。EAST的磁约束核聚变装置使用的直流快控 电源 即是一种大功率直流电源，其技术要求为：电压响应时间1ms峰值电压50V;最大电流20kA，能实现4个象限的运行。针对此要求，不可避免地需采用电源并联技术，即功率管并联或电源装置的并联。对于20kA直流电源，若采用功率管IGBT并联，每个桥臂则至少需15只功率管并联，这不但给驱动带来很大困难，而且，在一般情况下，电流容量较

　　DC/DC电源并联技术研究 /

　　本文介绍新型的MOSFET逆变模块，用于驱动风扇和水泵中的小型直流无刷电机。这种功率模块集成了6个MOSFET和相应的高压栅极驱动电路 (HVIC)。通过使用专门设计的MOSFET和HVIC，该模块能提供最小的功耗和最佳的电磁兼容 (EMC) 特性。本文将探讨这种逆变模块在$电机驱动应用中所涉及的封装设计、MOSFET和HVIC，并着重讨论其中的功率损耗、电磁干扰和噪声问题。 电气设计 对于小型$电机驱动系统，MOSFET在功耗、成本和性能方面较功率开关管更具优势。MOSFET的正向特征电阻为欧姆级 (见图1(a)) ;其导通损耗与漏极电流的平方成正比，当漏极电流低于1A时，其导通损耗低于额定功率相同的IGBT的导通损耗，这

　　在此系列的第一部分中，讨论过高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器也可以实现相同的效果。 高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，大多数类型的FET固有。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示为典型MOSFET电路符号中表示的体二极管。 图1：MOSFET符号包括固有的体二极管 限制体二极管的导通时间将进而降低其两端所消耗的功率。这是因为当MOSFET处于导通状态时，体二极管上的压降通常高于MOSFET两端的电压。对于相同的电流水平，P = I×V（其中P是功耗，I是电流，V是电压降），通过MOSFET通道的传导损耗显著低于通过体二极管的传导损

　　在小功率开关电源中基本使用的是简单的绕组整流提供VCC，而IC的VCC供电又是开关电源的核心。在debug的过程中，很多时候通过观察VCC波形就可以发现问题所在或者直接就是VCC异常导致的。本文中我们列举并分析了三种典型的启动方式优劣特点，以供参考学习。 第一种方式：从整流桥后的Vbulk处接电阻到VCC，见(图一)的R3、R4。此处要注意R3、R4的耐压，如果是普通的1206电阻，至少要3颗;用高压类型的，也最好用2颗。这种启动方式是早期的，由于R3、R4一直在消耗功率，在追求低空载功耗的今天，基本已被淘汰。 图一 第二种方式：从整流桥前的L或者N处接电阻到VCC，见(图二)的R2、R3、R7。这种启动方

　　开关电源中连接到VCC的启动方式分析 /

　　QCELP（Qualcomm Code Excited Linear Predictive Coding-Qualcomm码受激线性预示编码）话音压缩算法是TIAIS-95北美宽带CDMA数字蜂窝电线话音蜂窝电线话音编解码所选的声码器。一个话音编等于一个编码器和对。依此标准进行设计对于便携系统设计人员来讲是个问题，这是因为用通常DSP方法需要异常的功耗。 QCELP是一种向量编码器型话音编解码，在话音编解码分类中被称为CELP（码受激线性预示）编码话音压缩算法。CELP编解码采用话音编码的合成分析方法。 编码器的任务是确定描述话音音频段的小的参量组，话音音频

　　飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管，在电压驻波比（VSWR）为65:1的负载中提供 300 W CW的全额定输出功率。 当射频功率管生成的最大功率到达天线时，所有固态射频功率放大器的运行最有效。在理想条件下，这会产生1:1的VSWR，生成的全部额定功率都通过传输线到达负载，没有任何额定功率反射回放大器。大部分应用的VSWR水平很少超过2.5:1，而大部分RF功率管无论其采取什么技术，都

　　器件技术综述与展望 target=_blank

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